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不同磁化水处理对有益微生物(苜蓿根瘤菌)生长及功能的影响——结果与分析

来源:西北农业学报 发布时间:2025-06-13 16:02:30 浏览:30 次

2结果与分析


2.1磁化水处理对苜蓿根瘤菌S.meliloti XGL026生长的影响


用磁化水和普通水制备的培养基培养苜蓿根瘤菌S.melilotiXGL 026,定期检测根瘤菌菌液浓度及活菌数的动态变化(图1、图2)。结果表明,在普通水培养基中,接种后培养8 h的菌体浓度迅速增长至OD值0.320,48 h后达到最高生长量(OD600nm=1.534)。在4 000 Gs磁化1次(T1)、2次(T2)、3次(T3)的磁化水培养基中,菌体生长更为迅速,培养8 h的菌液OD值分别达0.674、0.923、1.730。T1、T2磁化水培养至48 h时菌体浓度达到最高,OD值分别为1.810、

图1磁化水处理对根瘤菌菌液浓度的影响

图2磁化水处理对根瘤菌活菌数的影响


1.900,T3处理达到菌体最高生长量的时间提前至32 h(OD600nm=2.016)。磁化水对枯草杆菌活菌数影响的测定结果与菌液浓度变化相符合。由图2可见,在磁化水培养基中,根瘤菌生长繁殖速度加快,0~48 h的培养周期中活菌数均高于普通水对照。培养48 h时,T1处理和普通水对照活菌数均达到最高值,T1较对照增加11.02%;T2、T3处理在40 h时活菌数达到最高值,较对照分别提高76.92%、72.47%。


2.2磁化水对苜蓿根瘤菌结瘤的影响


在盆栽苜蓿上接种由绿色荧光蛋白基因GFP标记的根瘤菌株S.melilotiXGL 026-GFP,以磁化水或普通水灌溉,定期检测其在苜蓿根上的结瘤数(表1)。结果表明,接种磁化水培养的根瘤菌能显著增加苜蓿结瘤数(P<0.05),各处理的结瘤数每株增加5~11个(平均8个),其中接种T3磁化水培养的根瘤菌+T3磁化水灌溉苜蓿处理(T3培养+T3磁化水灌溉)的结瘤数增幅最显著(P<0.01)。接种后采用磁化水浇灌的苜蓿结瘤数略高于用普通水浇灌,但差异不大(P>0.05)。

表1磁化水处理对苜蓿结瘤数的影响


注:不同小写字母表示处理间差异显著(P<0.05),不同大写字母表示处理间差异极显著(P<0.01)。下表同。


2.3磁化水对生防枯草杆菌B.subtilis 2-4菌株生长的影响


测定生防枯草杆菌在磁化水培养基中菌体浓度和活菌数的动态变化(图3,图4)。结果表明,在普通水培养基中,接种后培养8 h的菌体浓度迅速增长至OD值0.833,24 h后即达到最高生长量(OD600nm=1.816);而4 000 Gs磁化1次(T1)、2次(T2)、3次(T3)和20 000 Gs磁化1次(T4)的磁化水培养基中,菌体浓度增长迟缓,培养8 h的OD值依次为0.483、0.189、0.234和0.221,达到菌体最高生长量的时间延迟到32 h,OD值分别为1.754、1.83、1.437和1.256,说明T1、T2磁化水在枯草杆菌生长前期对菌体生长繁殖具有一定抑制作用,但随着生长期延长抑制作用减弱,对菌体生长量的影响不大。T3、T4处理则对枯草杆菌的整个生长期都有明显的抑制作用,并显著降低其生长量,其中T4处理达到极显著水平(P<0.01)。磁化水对枯草杆菌活菌数影响的测定结果也显示相似的特点。由图4可见,在磁化水培养基中,接种后培养8 h的枯草杆菌增长速度较普通水降低。培养32 h后活菌数达到最高值,T1、T2处理较对照增加6.48%、8.48%,但T3和T4较对照降低33.17%和93.52%。


2.4磁化水处理对枯草芽孢杆菌B.subtilis 2-4菌株抑菌效果的影响


根据前期试验结果,选取对枯草芽孢杆菌生长有促进作用的T1处理和有显著抑制作用的T3、T4处理,测定其对棉花黄萎菌抑菌效果的影响(表2)。从表2可以看出,与普通水对照相比,T1磁化水处理能提高枯草杆菌的抑菌作用,抑菌圈半径较对照增大。而T3和T4磁化水处理,其抑菌圈半径较对照分别减小44.5%和49.6%,对棉花黄萎菌的抑菌效果显著减弱(P<0.01)。

图3磁化水对枯草杆菌2-4细胞浓度的影响

图4磁化水对枯草杆菌2-4活菌数的影响


处理Treatment抑菌圈半径/mmTheantibacterialcircleradius普通水对照Theordinarywater(CK)17.19±0.008cC4000Gs磁化1次(T1)4000Gsmagnetizationforonetime(T1)17.32±0.001cC4000Gs磁化3次(T3)4000Gsmagnetizationforthreetimes(T3)9.54±0.001bB20000Gs磁化1次(T4)20000Gsmagnetizationforonetime(T4)8.66±0.001aA


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